介绍倍加福P+F磁场传感器本体材质
产品型号目录
NBB20-U1-A2
NBN30-U1-A2
PVM58N-011AGROBN-1213
RLK31-54/31/115  
DVM58N-011AGROBN-1213 430598
OBT500-18GM60-E5
LA39/LK39-Z/31/40A/116
NBN8-18GM40-Z0
NBN40-UE-E2
NBB5-18GM50-E2
ML100-8-H-350-RT/103/115 223946
NEB4-8GM50-E2-V3 123384
PVM58N-011AGROBN-1213
NBB4-12GM50-E2-V1
NBB8-18GM50-E2-V1
NBB4-12GM50-E2-V1  
RHI90N-OHAK1R61N-01024"2
NBB15-U1-E2 DC24V
UB500-18GM75-U-V15

介绍倍加福P+F磁场传感器本体材质

开关功能: 常开 (NO), 输出类型: PNP, 额定工作距离: 使用 41FY1 - 6.4 - 15.2 mm 或 41FY2 - 7.6 - 19 mm, 安装: 非齐平, 输出极性: DC, 输出类型: 3 线, 结构类型: 矩形, 系列: 矩形 - 磁性接近开关, 螺纹: 无, 工作电压: 10 ... 30 V DC, 连接类型: 连接器插头, 外壳材料: 聚碳酸酯, 防护等级: IP67

我们的磁场传感器系列包含面向传统磁性探测应用的 M12 外壳类型。我们还提供一种非接触式活塞探测传感器，适用于钢制液压缸。这些磁性传感器能够可靠地探测活塞磁体，并且易于安装，不要求液压缸中有安装槽或孔铁磁性物质在磁化过程中，它的电阻值沿磁化方向将增加，并达到饱和的现象称 为磁阻效应。薄膜磁阻元件是利用薄膜工艺和微细加工技术，将NiPe。NiCo合金用真空蒸镇或溯射工艺沉积到硅片或铁氧体基片上，通过微细加工技术制成 一定形状的磁咀图形，形成三端式、四端式以及多端式器件。BMber结构桥式电路磁阻元件具有灵敏度高、工作频率特性好、温度稳定性好、结构简单、体积小 等特点。可制成高密度磁咀磁头、磁性编码器、磁阻位移传感器、磁阻电流传感器等。