供应fairchild仙童光电产品

Fairchild是设计和光电器件的企业。 我们提供用于低带宽/通用开关应用的光电耦合器、用于高带宽/高增益应用的高光电耦合器、高压光电耦合器、红外元器件以及具有*功能的其他定制产品。

我们广泛的光电器件和光耦合器器件系列提供了多种输入和输出配置，可以降低功耗并为您的设计提供的抗噪能力。

为什么选择飞兆的光电器件
凭借Fairchild专有的共面封装技术Optoplanar®，我们的高光耦合器可提供的抗噪能力。

凭借高速的速度传输速率，这些高电耦合器特别适合 
高速数据通信应用。
我们所有的光电产品均不含铅(Pb)，并且符合RoHS标准。
此外，我们的产品还通过了主要安全监管机构的。
采用3.3V和5V的电源电压。
带宽能力zui高可达15Mbit/s。
达到或超过安全监管标准。
高隔离电压，zui高可达5kV。
此外，为了满足当今设计日益增长的需求，飞兆半导体提供可承受工作温度高达+125
°C的光耦合器。 我们的4引脚整间距MFP和4引脚DIP、光电晶体管输出光耦合器均具有
+110°C的额定zui高操作温度。
有源米勒钳位技术 Active Miller Clamp Technology
在IGBT的驱动设计中，特别是对中小功率的IGBT驱
动，工程师们更倾向于简单的板布局和简单的解
决方案，于是去掉驱动负电源成了很有吸引力的解
决方案，但是同时这个方案也带来了定的问题。
如图1所示的驱动，上桥和下桥的IGBT都使用
单电源供电。如图2黑色波形所示，正常情况下，
两个IGBT不会同时导通，栅电压不会同时为高。
但是由于dv/dt的存在，IGBT关闭之后栅会出现
毛刺电压,如图2红色波形所示。如图3所示，让我
们以Q2为例做更详细的说明。Q2关闭之后，Q1开启
，Q2的CE电压将会升高，由于dv/dt很高，电流通
过Q2的Cgc流过限流电阻Rg和驱动的输出阻抗，这
个电流我们称为米勒电流。米勒电流的大小可以通
过如下公式(1)计算。
如果对速度的要求很高，dv/dt也会随之增大
，那么米勒电流造成VGE2就会升高到Q2的阈值电压
，造成Q1和Q2同时导通，这对于Q1和Q2都是非常危
险的，当然也会造成功耗的浪费。

 供应fairchild仙童光电产品